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返回列表 來源:半導體行業觀察 瀏覽: 發布日期:2021-09-22 13:06【
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      過去幾十年,芯片沿著摩爾定律不斷微縮,芯片的尺寸越來越小,性能越來越高。正因如此,以前如龐然大物的電腦才能變成91视频官网APP掌上的輕薄本,還有手機、電視、智能手表等等,這些給91视频官网APP的生活帶來了無限的便利。但現在,91视频官网APP遇到了阻礙,晶體管小型化速度正在放緩,摩爾定律逼近極限。芯片製造商無法通過傳統的方法用更經濟的成本來製造更微小的電路。

      於是各種後摩爾時代的技術開始被探索,MOSFET晶體管從二維進入3D FinFET,進入GAA;3D封裝、SiP封裝等先進封裝技術也成為企業加速布局的技術,Chiplet被派上用場,國際大廠紛紛加入這個行列;諸如碳納米管等新型半導體材料也在加速攻堅;存算一體新器件開始逐步替代傳統的MOS器件;甚至要超越晶體管進入量子計算;等等。整個半導體業界無不為芯片的下一步發展找尋新思路。現在有一種全新的、更劃算的技術或許能為芯片製造的微縮打開另一扇大門,那就是定向自組裝技術(DSA),它可以算是光刻技術的一種互補技術。
 
      在2021年SPIE先進光刻大會上,全球領先的納米電子和數字技術研究和創新中心imec首次展示了定向自組裝(DSA)到間距小至18nm的模式線/空間的能力,一種優化的幹蝕刻化學方法成功地將圖案轉移到底層的厚SiN層中,這將使進一步的缺陷檢測成為可能。這些結果證實了定向自組裝技術(DSA)有潛力補充用於亞 2nm技術節點工業製造的傳統自上而下圖案化。

      現在芯片通常通過光刻法製造。簡言之,電路的每一個微小特征都被投射在矽片上,在此過程中,會在矽片上塗覆被稱為光致抗蝕劑的光敏材料。之後,矽晶片將被置於不同圖案之下,這些圖案由光線穿透被稱為掩模的濾光片形成。光線每照射到一處,光刻膠便會固化,其餘部分則會被衝洗掉。在下一步驟中,會對晶圓進行化學蝕刻,由此在表麵的裸露部分形成功能結構。光刻技術的進步一直是推動後續半導體節點前進的關鍵。隨著芯片進入10nm以下,極紫外(EUV)技術必不可少,光刻變得過於複雜且成本高昂,一台EUV光刻機的成本超過了1億美元。相對的,芯片的成本也隨之水漲船高。
 
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