為了提升密度，閃存廠商們拚了，91视频网站免费機可以助力閃存發展嗎？
文章導讀：發展至今，目前全球NAND Flash市況如何？各大玩家取得了哪些進展？以及在提升NAND閃存密度方麵，行業廠商正在進行哪些努力，市場未來又將走向何方？91视频网站免费機行業在芯片領域應該如何發力，什麽樣的91视频网站免费機設備能更好的解決芯片的表麵處理難題？
在如今大數據時代，NAND閃存無疑是數據存儲的奠基者。不管是手機、電腦、家電還是汽車、安防等行業，都少不了NAND閃存的身影，其重要性可見一斑。在此趨勢下，全球NAND Flash存儲容量持續保持增長，2020年存儲容量達到5300億GB，預計2022年將達6110億GB。
隨著存儲容量的不斷增長，NAND Flash存儲原廠的產品生產工藝也在不斷發展，存儲晶圓工藝製程、電子單元密度、閃存堆疊層數等都經曆了較大的技術迭代和發展。
發展至今，目前全球NAND Flash市況如何？各大玩家取得了哪些進展？以及在提升NAND閃存密度方麵，行業廠商正在進行哪些努力，市場未來又將走向何方？91视频网站免费機行業在芯片領域應該如何發力，什麽樣的91视频网站免费機設備能更好的解決芯片的表麵處理難題？
三星第一代V-NAND閃存采用了三星電子獨創圓柱形3D CTF和垂直堆疊技術，雖然隻有24層，但卻突破了平麵技術的瓶頸。反觀東芝，其第一款3D NAND（48層）量產產品比三星晚了整整三年。
有數據統計，2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠超2D NAND，且未來仍將持續提高，預計2025年3D NAND 將占閃存總市場的97.5%。
自從NAND閃存進入3D時代，芯片的層數比拚一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的重點，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高。在3D NAND技術賽跑中，存儲廠商從最初的24層、32層，一路堆到了128層、176層，甚至200+層。層數越高，NAND閃存可具有的容量就越大，增加層數以及提高產量也是衡量技術實力的標準。
前不久，美光宣布其232層NAND閃存芯片實現量產，這也是全球首款突破200層大關的固態存儲芯片。
從TechInsights閃存路線圖中獲悉，2D NAND閃存以工藝製程演進為評判標準，而邁入3D NAND之後，工藝製程演進相對緩慢，堆疊層數取代工藝製程成為新的介質進化標準。
從各廠商的技術藍圖來看，NAND Flash堆疊層數預計在2022年將達到2XX層，而工藝製程則可能停留在20nm左右。
從WSTS公布的出貨量數據來看，NAND閃存的發展大致可以分為三個階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現線性增長趨勢；2016年至2018年，出貨量相對穩定；2018年之後，受益於數據中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場的角度看，隨著2001年以後音樂播放器、數碼相機、手機等領域疾速增長，NAND閃存市場需求持續上揚，出貨量以線性趨勢持續增加
在 NAND閃存擴展飽和後，隨著大數據、物聯網、數據中心等新興市場的發展，三星、英特爾、鎧俠、西部數據、長江存儲等一係列閃存廠商再次紛紛加速技術演進和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導權。
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隨著存儲容量的不斷增長，NAND Flash存儲原廠的產品生產工藝也在不斷發展，存儲晶圓工藝製程、電子單元密度、閃存堆疊層數等都經曆了較大的技術迭代和發展。
為了提升密度，閃存廠商做了哪些努力？
回顧3D NAND閃存的發展曆程，東芝最早在2007年提出了此概念，並表明NAND閃存未來的發展趨勢將集中於降低單位bit成本。2013年，三星推出了全球首款V-NAND閃存，並投入量產，代表著3D NAND閃存從技術概念走向了商業市場。三星第一代V-NAND閃存采用了三星電子獨創圓柱形3D CTF和垂直堆疊技術，雖然隻有24層，但卻突破了平麵技術的瓶頸。反觀東芝，其第一款3D NAND（48層）量產產品比三星晚了整整三年。
有數據統計，2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠超2D NAND，且未來仍將持續提高，預計2025年3D NAND 將占閃存總市場的97.5%。
自從NAND閃存進入3D時代，芯片的層數比拚一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的重點，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高。在3D NAND技術賽跑中，存儲廠商從最初的24層、32層，一路堆到了128層、176層，甚至200+層。層數越高，NAND閃存可具有的容量就越大，增加層數以及提高產量也是衡量技術實力的標準。
前不久，美光宣布其232層NAND閃存芯片實現量產，這也是全球首款突破200層大關的固態存儲芯片。
芯片製程“雙刃劍”
此外，NAND的製程是另一個影響NAND存儲密度的關鍵因素。2D NAND從早期50+nm到19nm，最後發展到了16/15nm，每次製程的升級都將NAND存儲密度提升到新的高度，但是NAND閃存的製程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。從TechInsights閃存路線圖中獲悉，2D NAND閃存以工藝製程演進為評判標準，而邁入3D NAND之後，工藝製程演進相對緩慢，堆疊層數取代工藝製程成為新的介質進化標準。
從各廠商的技術藍圖來看，NAND Flash堆疊層數預計在2022年將達到2XX層，而工藝製程則可能停留在20nm左右。
寫在最後
NAND閃存的概念可以追溯到上世紀80年代，而真正步入發展軌道則是從2000年開始。從WSTS公布的出貨量數據來看，NAND閃存的發展大致可以分為三個階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現線性增長趨勢；2016年至2018年，出貨量相對穩定；2018年之後，受益於數據中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場的角度看，隨著2001年以後音樂播放器、數碼相機、手機等領域疾速增長，NAND閃存市場需求持續上揚，出貨量以線性趨勢持續增加
在 NAND閃存擴展飽和後，隨著大數據、物聯網、數據中心等新興市場的發展，三星、英特爾、鎧俠、西部數據、長江存儲等一係列閃存廠商再次紛紛加速技術演進和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導權。
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