台積電再加大投入，研發3nm
文章導讀：台積電在過去五年現已投資逾500億美元在工藝和產品研發，以台積電規劃打造台灣貝爾實驗室的規劃，預定今後幾年仍會投入到數百億美元在新科技和新材料的產品研發，繼續扮演台灣半導體業領頭羊。鑒於摩爾定律逐漸到了物理ji限，3nm被認為是zui後的一代矽基半導體工藝，因為1nm節點會遭遇嚴重的幹擾。
台積電董事長劉德音昨（31）日主持台灣半導體產業協會（TSIA）年度論壇結語時表露，台積電會擴大產品研發能量，將於竹科新建產品研發中心，打造成台灣的貝爾實驗室，預計再擴增8,000名產品研發大軍，投入到今後二、三十年科技和材料產品研發及半導體產業的基礎研究。
台積電在過去五年現已投資逾500億美元在工藝和產品研發，以台積電規劃打造台灣貝爾實驗室的規劃，預定今後幾年仍會投入到數百億美元在新科技和新材料的產品研發，繼續扮演台灣半導體業領頭羊。台積規劃新產品研發中心，基地位於新竹縣寶山鄉，麵積約32.7公頃，目前全案已進入環評補件階段，根據台積電之前的資料，整個3nm晶圓廠預計會在2020年正式開工建設，耗資超過4000億新台幣，折合879億人民幣或者130億美元。。台積電幕僚表述，之後台積電3納米以下的產品研發都會在此產品研發中心進行。
鑒於摩爾定律逐漸到了物理ji限，3nm被認為是zui後的一代矽基半導體工藝，因為1nm節點會遭遇嚴重的幹擾。為了解決這個問題，三星宣布在3nm節點使用GAA環繞柵極晶體管工藝，借助使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該工藝可以顯著增強晶體管性能，主要是取代FinFET晶體管工藝。
但台積電方麵表述，他們 的3nm工藝技術和產品研發十分順利，目前有初期的客戶已參與進來，和台積電一同進行工藝定義，3nm工藝將會在今後更進一步地穩固台積電的行業內的地位。目前，3nm工藝仍在初期產品研發階段，台積電也並沒有提供任何的技術細節，及其性能、功耗指標，例如相比5nm工藝能提升多少，僅僅說3nm將是一個新一代的工藝節點，而不是5nm的改良版。
台積電僅僅說，現已評定了3nm工藝全部可能的晶體管結構設計，並與客戶一同獲得了特別好的解決方法，詳細規範已經在進一步開發中，公司有決心符合大客戶們的全部需要。
台積電此前曾披露，規劃在2022年就量產3nm工藝。台積電追求工藝自主，這幾年繼續擴大產品研發規模，經費逐漸提升，光去年的產品研發經費就已占營收的8%，約達858.95億元之高，較前年的807.32億元增加，也超越台灣半導體業界，今年占比估為8.6%，金額站上千億元，再寫新猷。
本文來源：經濟日報
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